AMG Power объявляет о расширении линейки карбид-кремниевых МОП-транзисторов третьего поколения: представлена модель с напряжением 3300 В, током 80 А и сопротивлением в открытом состоянии 40 мОм – A3G80N3300MT4. Новинка выполнена в стандартном корпусе TO-247-4L с отдельным выводом источника для драйвера, что обеспечивает простоту параллельного включения и стабильность управления в высоковольтных приложениях.
Ключевые технические преимущества SiC MOSFET транзистора:
- Технология SiC 3-го поколения: оптимизированная структура кристалла обеспечивает низкие динамические потери при сохранении высокого класса блокирующего напряжения.
- Минимальные паразитные параметры: входная ёмкость Ciss – 7385 пФ, выходная Coss – 132 пФ, обратная передача Crss – всего 13,5 пФ (при VDS=1000 В), что позволяет реализовать высокочастотную коммутацию с КПД системы свыше 98%.
- Раздельный драйверный исток (Kelvin source): исключает влияние паразитной индуктивности силовой цепи на контур управления, снижая риск ложных срабатываний и упрощая проектирование драйвера.
- Стабильность в широком температурном диапазоне: сопротивление RDS(on) увеличивается с 40 мОм при 25 °C до 68 мОм при 175 °C, что гарантирует предсказуемое поведение в реальных условиях эксплуатации.
- Низкое тепловое сопротивление: RθJC = 0,35 °C/Вт позволяет эффективно отводить мощность до 428 Вт (при TC=25 °C) и работать на предельной температуре перехода +175 °C.
- Упрощённое управление: рекомендуемые уровни затвора +18 В / –5 В, пороговое напряжение 2–4 В, общий заряд затвора Qg – 348 нКл при VDS=1000 В.
Динамические характеристики (при VDS=1700 В, ID=50 А, RG(ext)=3 Ом, TJ=175 °C):
- Время включения / выключения: 78 нс / 32 нс
- Фронт / спад: 42 нс / 19 нс
- Энергия переключения: EON = 2080 мкДж, EOFF = 780 мкДж
Встроенный диод характеризуется прямым падением напряжения 3,3 В (тип.) и временем обратного восстановления trr = 178 нс, что снижает потери в мостовых и полумостовых топологиях.
Области применения:
- Тяговые инверторы и мотор-драйвы электромобилей
- Высоковольтные DC/DC-преобразователи для ж/д и промышленной тяги
- Солнечные инверторы центрального и строкового типа
- Зарядные станции HVDC для электротранспорта
- ИБП и импульсные источники питания повышенной мощности
Важно для проектировщиков: начиная с текущего квартала, модель A3G80N3300MT4 рекомендуется к применению в новых разработках вместо предыдущих версий A2G50N3300MT4 и A2G60N3300MT4. Новинка обеспечивает более высокое соотношение «ток/сопротивление», улучшенные динамические параметры и полную совместимость по корпусу TO-247-4L, что позволяет проводить апгрейд без изменения топологии печатной платы.
Datasheet: A3G80N3300MT4