Высоковольтные MOSFET (500–1500 В) — ключевые элементы импульсных источников питания, PFC-преобразователей, сварочных инверторов и промышленной автоматики. На рынке доминируют две архитектуры: планарные (VD) и с суперпереходом (SJ). Планарные MOSFET (VD) MOSFET с суперпереходом (SJ) Читать далее здесь (оригинал статьи) https://www.rlocman.ru/news/new.html?di=688465
Высоковольтные MOSFET (500–1500 В) — ключевые элементы импульсных источников питания, PFC-преобразователей, сварочных инверторов и промышленной автоматики. На рынке доминируют две архитектуры: планарные (VD) и с суперпереходом (SJ).
Планарные MOSFET (VD)
- Преимущества: Высокая стойкость к лавинному пробою, устойчивость к импульсным перенапряжениям, надежность в жестких условиях.
- Ограничения: Больший размер кристалла, высокое сопротивление канала (Rds(on)) и паразитные емкости.
MOSFET с суперпереходом (SJ)
- Преимущества: Вертикальная структура обеспечивает более однородное распределение поля, позволяя снизить Rds(on) и габариты кристалла без потери пробивного напряжения.
- Результат: Меньшие потери проводимости и возможность работы на более высоких частотах по сравнению с VD-аналогами.
Читать далее здесь (оригинал статьи) https://www.rlocman.ru/news/new.html?di=688465