Добавить в корзинуПозвонить
Найти в Дзене
OVERCLOCKERS.RU

Техпроцессы ниже 1 нм отложили до 2034 года, переход к 2D-транзисторам ожидают после 2040 года

Производители чипов приближаются к пределам масштабирования, и это уже влияет на сроки внедрения новых технологий. Обновлённые оценки дают более сдержанную картину развития отрасли. Изображение: WCCFTech Исследовательский центр Imec представил обновленную дорожную карту для логических чипов. В ней сроки перехода к техпроцессам ниже 1 нм сдвигаются на более поздний период. По этим оценкам, такие решения появятся не раньше 2034 года, хотя раньше ожидания выглядели более оптимистично. Дальнейшее уменьшение размеров идет через несколько последовательных этапов, каждый из которых требует новых подходов к производству. Сначала индустрия освоит уровни порядка 0,7 нм, затем приблизится к 0,5 нм, и только после этого речь пойдет о нормах следующего уровня масштабирования. Переход к значениям около 0,3 нм относят к концу следующего десятилетия, и эти сроки напрямую зависят от развития литографии и материалов. Параллельно меняется и сама архитектура транзисторов. В дорожной карте фигурируют струк

Производители чипов приближаются к пределам масштабирования, и это уже влияет на сроки внедрения новых технологий. Обновлённые оценки дают более сдержанную картину развития отрасли.

Изображение: WCCFTech

Исследовательский центр Imec представил обновленную дорожную карту для логических чипов. В ней сроки перехода к техпроцессам ниже 1 нм сдвигаются на более поздний период. По этим оценкам, такие решения появятся не раньше 2034 года, хотя раньше ожидания выглядели более оптимистично.

Дальнейшее уменьшение размеров идет через несколько последовательных этапов, каждый из которых требует новых подходов к производству. Сначала индустрия освоит уровни порядка 0,7 нм, затем приблизится к 0,5 нм, и только после этого речь пойдет о нормах следующего уровня масштабирования. Переход к значениям около 0,3 нм относят к концу следующего десятилетия, и эти сроки напрямую зависят от развития литографии и материалов.

Параллельно меняется и сама архитектура транзисторов. В дорожной карте фигурируют структуры CFET, которые размещают элементы вертикально и за счёт этого увеличивают плотность. Такой подход позволяет продолжать масштабирование без прямого уменьшения всех размеров.

Следующий этап связан с 2D-транзисторами. Их внедрение ожидают примерно на уровне 0,2 нм ближе к 2043 году, а более продвинутые технологические нормы рассматривают уже после этого периода. Эти оценки показывают, что индустрия переходит к более сложным конструкциям вместо простого уменьшения размеров транзисторов.

Читайте далее на сайте

-2

Производство 2-нм микросхем TSMC превысит показатели 3-нм техпроцесса на 45%

-3

Техпроцесс Intel 18A-P увеличивает производительность на 9% при снижении энергопотребления на 18%

-4

Intel довела выход годных EMIB до 90% и готовит масштабирование EMIB-T к 2028 году

-5

На фоне падения выпуска чипов из‑за забастовки Samsung обсуждает вывод DS в отдельную компанию

-6

Производитель сантехники и унитазов Toto нарастит выпуск деталей для чипов на фоне спроса ИИ