Японская SAIMEMORY, созданная SoftBank в партнёрстве с Intel, сообщила, что государственное агентство NEDO выбрало проект разработки памяти ZAM для субсидирования. Инициатива входит в программу Post-5G Infrastructure Enhancement R&D Project, а значит, часть затрат на создание технологии может быть покрыта за счёт господдержки.
ZAM (Z-Angle Memory) рассматривается как возможная альтернатива современной HBM-памяти, которая используется в ИИ-ускорителях и дата-центрах. Разработка строится вокруг вертикальной архитектуры памяти с нетрадиционной компоновкой слоёв. По замыслу авторов проекта, это должно улучшить тепловые характеристики, повысить плотность, увеличить пропускную способность и снизить энергопотребление примерно на 40% по сравнению с классической HBM.
Интерес к проекту связан с тем, что рынок ИИ-вычислений упёрся в серьёзный дефицит памяти. Несмотря на быстрый рост GPU, именно память становится одним из главных узких мест для инфраструктуры ИИ. Сейчас основной стандарт — HBM, но он дорог в производстве, сложен в сборке и поставляется ограниченным числом производителей. ZAM должен предложить более масштабируемый и экономичный вариант.
История проекта тянется уже несколько лет. Ранее Intel участвовала в исследованиях ключевых технологий для вертикальной памяти и соединений между кристаллами, а SoftBank в 2024 году создала SAIMEMORY, чтобы коммерциализировать эту архитектуру. Среди партнёров и инвесторов проекта — Fujitsu и Development Bank of Japan.
По плану, программа с поддержкой NEDO продлится около 3,5 лет, SAIMEMORY собирается инвестировать в разработку порядка 8 млрд иен — это примерно 55 млн долларов — до конца 2027 финансового года. Цель на более длинной дистанции — вывести ZAM к массовому производству примерно в 2029 году.
Если разработка окажется успешной, ZAM сможет составить реальную конкуренцию HBM на быстрорастущем рынке памяти для ИИ и помочь Японии усилить позиции в глобальной полупроводниковой отрасли.