НИИТМ впервые показал установку «Изофаз-Д» для плазмохимического осаждения диэлектрических слоев на кремниевых пластинах (одного из ключевых процессов производства микросхем). Об этом сообщает «Телеспутник» со ссылкой на представителей научно-исследовательского института. «Проект “Изофаз-Д” создан в рамках совместной опытно-конструкторской работы Минпромторга и НИИТМ. Мы сделали экспериментальный образец установки осаждения диэлектрических слоев», — рассказал главный технолог НИИТМ Денис Костюков. Новая установка была представлена на выставке ExpoElectronica 2026. Она предназначена для обработки кремниевых пластин диаметром 100, 150 и 200 мм и оснащена системой кассетной загрузки. Устройство работает в полностью автоматическом режиме — от загрузки пластин до их обработки в вакууме. Конструкция «Изофаз-Д» модульная, система включает загрузку, реактор, камеру охлаждения и блок ориентирования пластин. В процессе работы в камере создается глубокий вакуум, подаются специальные газы, запускается плазма, и на поверхности кремниевой пластины формируется тонкий диэлектрический слой. По словам разработчиков, этот этап является критически важным для производства электронных компонентов, поскольку диэлектрический слой предотвращает утечку тока между элементами микросхемы и влияет на ее надежность и скорость работы. Отечественная установка позволяет формировать плазму высокой плотности, что дает возможность наносить покрытие не только на ровные поверхности, но и на сложные структуры с выраженным рельефом. Это важно для современных чипов, где плотность элементов постоянно растет.