Добавить в корзинуПозвонить
Найти в Дзене
Об Атоме просто

ПОРИСТОСТЬ

Моё дело какое?
Моё дело простое объяснить балбесам, что:
1. электроны кристаллической решётки металла проводника в передаче электроэнергии не участвуют.
2. в проводимости металла проводника участвуют в основном ТРАНЗИТНЫЕ электроны.
3. проводимость металла проводника зависит от ПОРИСТОСТИ кристаллической решётки.
4. чем выше ПОРИСТОСТЬ кристаллической решётки проводников, тем больше там ТРАНЗИТНЫХ носителей электрической энергии (ТРАНЗИТНЫХ электронов).
5. только при больших плотностях передачи энергии кристаллическая решётка проводника «размывается» - ионизируется ТРАНЗИТНЫМИ носителями электрической энергии – электронами.
6. ионизированный металл - проводник становится супер химически активным.
Передаваемая энергия сосредоточена в транзитных электронах. Электроны атомов кристаллической решётки проводника, при малых амперах, практически не участвуют в передаче энергии.

Моё дело какое?
Моё дело простое объяснить балбесам, что:
1. электроны кристаллической решётки металла проводника в передаче электроэнергии не участвуют.
2. в проводимости металла проводника участвуют в основном ТРАНЗИТНЫЕ электроны.
3. проводимость металла проводника зависит от ПОРИСТОСТИ кристаллической решётки.
4. чем выше ПОРИСТОСТЬ кристаллической решётки проводников, тем больше там ТРАНЗИТНЫХ носителей электрической энергии (ТРАНЗИТНЫХ электронов).
5. только при больших плотностях передачи энергии кристаллическая решётка проводника «размывается» - ионизируется ТРАНЗИТНЫМИ носителями электрической энергии – электронами.
6. ионизированный металл - проводник становится супер химически активным.
Передаваемая энергия сосредоточена в транзитных электронах. Электроны атомов кристаллической решётки проводника, при малых амперах, практически не участвуют в передаче энергии.
Так и я о том же.
Как и во всякой сети передачи энергии (гидравлическая, воздушеая) энергия сосредоточена в движении ТРАНЗИТНЫХ носителей и их упругом взаимодействии.
Иначе получим полный логический бред.
Гидравлическая арматура (трубы и т. д.) не участвуют в движении гидравлической энергии.
Гидравлическая арматура (трубы и т. д.) неподвижны.
Подвижны только ТРАНЗИТНЫЕ носители гидравлической энергии (вода, масла…).
Даже когда передачи гидравлической энергии не происходит гидравлическая арматура (трубы и т. д.) содержит в себе неподвижных носителй гидравлической энергии (воду, масла…).
Если мы не видим в проводниках ТРАНЗИТНЫХ носителей электрической энергии (ТРАНЗИТНЫХ электронов), то это не значит, что их там нет.
И чем выше ПОРИСТОСТЬ кристаллической решётки проводников, тем больше там ТРАНЗИТНЫХ носителей электрической энергии (ТРАНЗИТНЫХ электронов).
Даже когда передачи электрической энергии не происходит электрическая арматура (провода и т. д.) содержит в себе неподвижные носители электрической энергии (ТРАНЗИТНЫЕ электроны).
Только при больших плотностях передачи энергии кристаллическая решётка проводника «размывается» - ионизируется ТРАНЗИТНЫМИ носителями электрической энергии – электронами.
Ионизированный металл - проводник становится супер химически активным.
Поместите транзитный участок медного провода в дистиллированную воду – реакции 0.
Подайте слабый постоянный ток и постепенно повышайте силу тока до взрыва.
Момент взрыва это и есть момент ионизации проводника.
Даже ПВХ оболочка вступает в химическую реакцию с ионизированными перегруженными проводниками, в которых нехватает ТРАНЗИТНЫХ носителей электрической энергии – электронов.
Между диэлектрической проницаемостью ε и теплотой сублимации кристалла Hs∙Vп (кЛж/см3), где Vп – доля пустот в 1см3 кристалла, существует непосредственная связь для многих рассматриваемых в элементов.
Приведѐм соответствующие графики для одновалентных металлов – см рис.1
Рассмотрим по отдельности все три способа ХЯС химических элементов энергетически экономичным способом при воздействии на ядро атома:
электроном,
протоном
и нейтроном.
Итак, электрон.
Электрон может столкнуться с ядром атома. Электроны даже сталкиваются с ними. Но для этого они должны приобрести очень большую энергию.
Электрон при попытке проникнуть в атомное ядро отталкивается электромагнитными силами многослойной электронной оболочки атома. При облучении электронами им надо придать огромную энергию. чтобы они попали в ядро, миновав электронные оболочки.
Такая энергия может быть даже не у рентгеновского излучения, а только у космического. Ну или можно синхрофазотрон использовать.
При столкновении с ядро атома происходит т.н. К-захват, то есть, падение на ядро электрона с ближайшей к ядру s-орбитали, при котором один из протонов в ядре превращается в нейтрон и чего-то там испускается. Электрон захватывается ядром с, как правило, ближайших к нему электронных оболочек (в порядке K, L, M, N, …), причём при прочих равных условиях максимальна вероятность захвата s-электрона.
Почему захватывается именно именно s-электрон?
Холодный ядерный синтез или ХЯС.
Освоение технологии ХЯС открывает доступ к синтезу драгоценных и редких металлов с попутным получением тепловой и электрической энергии.
Холодный ядерный синтез невозможно эффективно использовать без знания строения ядер химических элементов.
Но этого мало, для синтеза новых ядер атомов, как и для распада атомных ядер необходимо знание строения электронных оболочек химических элементов.
В моей работе на сайте
http://atom21.ru , я изложил свою точку зрения на строение атомного ядра.
Атомное ядро имеет гексагонально-столбчатое строение.
Это гексагонально-столбчатое строение подтверждается суммарным спином ядра 120 химических элементов.
Для ХЯС химических элементов необходимо воздействовать на ядро атома:
протоном
нейтроном
или электроном.
Но ядро атома окутано-защищено электронной шубой. Эта вязкая электронная шуба требует для своего преодоления так много энергии, что овчинка выделки не стоит.
То что в электрическом разряде синтезируются редкие и ценные химические элементы давно установленный факт.
НО!
Дьявол кроется в мелочах!
ДА!
В любой отслужившей свой длительный век люминисцентной лампе содержатся редкие и ценные химические элементы, которые ранее там не содержались!
НО!
Их там очень мало!
Вопрос, как процесс синтеза редких и ценных химических элементов сделать экономически рентабельным?
Хотите ответа?
Их есть у меня!!!

Рис.2. Пористось меди. орбиты проводимости свободных электронов
Рис.2. Пористось меди. орбиты проводимости свободных электронов

Пористость меди, орбиты проводимости свободных электронов показаны зелёным цветом. Когда наружных свободных электронов становится слишком много, то электроны начинают просачиваться в медный проводник, занимая наружный 4d+/- энергетический уровень атома меди, сначала поверхностные 4d+/- орбиты, затем всё глубже и глубже опускаясь к геометрической оси провода. В случае постоянного тока, 4d+/- электроны проводимости перемещаются вдоль поверхности проводника змейкой, пол оборота в круг 4s+ электрона, потом пол оборота вкруг 4s- электрона, каждый раз меняя свой спин то + то - минус. Смена спина мероприятие энергозатратное, поэтому передача постоянного тока на большие расстояния мало эффективно. В случае переменного тока тор 4d+/- электрона проводимости "вальсирует" в круг 4s+ электрона, затем перескакивает, сразу через один или несколько 4s- электронана на другую 4s+ орбиту электрона без, смены спина! Поэтому передача переменного тока на большие расстояния более эффективно, чем постоянного тока.
Но при этом процессе возникает большая закавыка, в нутри проводника такие перескоки затруднительны! Поэтому все электроны из проводника пытаются вылезти на поверхность проводника, где таких затруднений не возникает! Так возникает скин эффект! В высокочастотных цепях и звуковом оборудовании, а также в акустике имеет место скин-эффект. Это явление происходит, когда ток протекает в большей степени вдоль поверхности кабеля, и чем выше частота, тем больше носителей заряда выталкивается на поверхность.

-3

Скин-эффект в проводнике приводит к уменьшению полезной площади поперечного сечения и, следовательно, к увеличению потерь в кабеле. Поэтому используются либо отдельные плетеные одножильные проводники (в высоковольтных импульсных трансформаторах), либо мягкие многожильные проводники.

РИС. 3.
РИС. 3.

Из графика на рис.3 следует, что на поверхности проводника находится всегда больше свободных электронов, чем в глубине проводника!!!