AMG Power анонсировал начало массового производства карбид-кремниевых МОП-транзисторов транзисторов на 1200 В с сопротивлением 30 мОм в инновационном корпусе TOLT с конструкцией, обеспечивающей отвод тепла через верхнюю поверхность. Новинка, совместимая по выводам с отраслевым стандартом TOLL, позволяет модернизировать существующие решения без изменения печатной платы и производственных процессов. В линейку также вошла модель на 45 мОм, что обеспечивает разработчикам гибкость выбора для различных сценариев применения в высокоплотных силовых системах.
Ключевые технические преимущества устройства включают перевёрнутую конструкцию чипа, при которой тепло отводится напрямую через металлическую поверхность корпуса к радиатору, минуя печатную плату – это снижает системное тепловое сопротивление на 35% по сравнению с традиционными решениями. Благодаря независимому кельвиновскому истоку и паразитной индуктивности всего 2÷3 нГн (в 5 раз меньше, чем у TO-247) обеспечивается чистота коммутационных фронтов и КПД системы свыше 98,8%. Корпус с «чайковыми» выводами выдерживает более 6000 термических циклов, превышая требования AEC-Q101 для автомобильной электроники.
Datasheet A4R30N1200MD03X
Новые SiC MOSFET ориентированы на применение в ИИ-серверах и ЦОД, ультрабыстрых зарядных станциях для электромобилей, накопителях энергии (PCS), базовых станциях 5G и промышленных инверторах. Конструкция с верхним теплоотводом особенно актуальна для компактных систем с высокими тепловыми нагрузками, где традиционные решения сталкиваются с ограничениями по площади платы и эффективности охлаждения.