Samsung, по данным южнокорейских СМИ, продвигается в развитии своих передовых техпроцессов и уже готовится к пробному выпуску 2-нм чипов по технологии GAA на заводе в Тейлоре, штат Техас. Изначально техасская площадка строилась как предприятие для производства 4-нанометровых процессоров и однокристальных систем, однако предприятие будет препрофилировано под выпуск CPU и SoC по более тонкому техпроцессу. Сообщается, что уровень выхода годных 2-нанометровых кристаллов у компании достиг примерно 60%, что дало производителю достаточно уверенности для следующего этапа развертывания. Такой шаг может дать компании заметное преимущество на американском рынке полупроводников, особенно с учетом того, что TSMC пока ограниченно переносит самые передовые технологии в США.
Согласно публикации Edaily, некоторые зоны завода уже получили Temporary Certificate of Occupancy (TCO) — временное разрешение на эксплуатацию. Это дает возможность привлечь на объект профильных инженеров и ускорить запуск оборудования. Ранее сообщалось, что тестовое производство должно было стартовать в марте, а в реализации проекта задействованы более 7000 сотрудников.
Важную роль в подготовке линии играет ASML — нидерландская компания, поставляющая передовые системы EUV-литографии, без которых массовое производство 2-нм GAA-чипов невозможно. По имеющимся данным, специалисты ASML уже работают с Samsung над развертыванием оборудования на площадке.
Если этап пробного производства пройдет успешно, завод в Тейлоре может начать реальные операции уже в 2026 году, а выход на полномасштабный выпуск состоится в 2027 году.
Samsung рассчитывает использовать этот завод для работы с американскими заказчиками. Среди клиентов называют Tesla, а также ряд других американских компаний и провайдеров облачных технологий. На фоне высокой загрузки мощностей TSMC, особенно в 3-нанометровом сегменте, Samsung получает шанс закрепиться как альтернативный подрядчик для тех клиентов, которым не хватает производственных возможностей TSMC.