Новый отчет сообщает, что Samsung, помимо разработки техпроцессов 2 нм GAA второго и третьего поколений, работает над внедрением самой передовой литографии — техпроцесса 1 нм, названного «полупроводником мечты». Завершение НИОКР ожидается к 2030 году, а запуск производства — в 2031 году. Для этого Samsung полагается на метод «fork sheet». — wccftech.com
Помимо разработки техпроцессов 2 нм второго и третьего поколений GAA, новый отчет гласит, что Samsung работает над внедрением своей самой передовой литографии — техпроцесса 1 нм, получившего название «полупроводник мечты». Как и ожидалось, корейскому гиганту потребуется несколько лет, чтобы представить эту технологию.
Сообщается, что график исследований и разработок компании будет завершен к 2030 году, а производственный процесс планируется внедрить в 2031 году. Естественно, уменьшение техпроцесса с 2 нм до 1 нм будет почти невыполнимой задачей, но Samsung, как утверждается, полагается на метод «fork sheet» (разветвленный лист), позволяющий разместить больше транзисторов на той же площади.
Метод «fork sheet» для техпроцесса Samsung 1 нм помогает увеличить количество транзисторов на той же площади путем установки «стены» между архитектурой затворов
Поскольку все три техпроцесса 2 нм используют технологию GAA (Gate-All-Around), которая максимизирует энергоэффективность за счет расширения пути тока с трех до четырех полос, применение того же метода в техпроцессе 1 нм не будет столь эффективным. По данным Korea Economic Daily, Samsung стремится достичь массового производства своей суб-2-нм технологии путем добавления непроводящей стенки между устройствами GAA, что похоже на вставку вилки в доступное пространство, отсюда и название fork sheet.
Подобно жилищной архитектуре, где газоны окружают соседние строения, подход Samsung заключается в удалении этих газонов и добавлении большего количества строений, создавая больше транзисторов в пределах одной и той же площади чипа. В прошлом году ходили слухи, что корейский технологический гигант отменил свой техпроцесс 1,4 нм по неустановленным причинам, хотя позже сообщалось, что компания перенесла этот техпроцесс на 2028 год, поскольку, возможно, решила сосредоточить внимание на технологии 2 нм GAA.
Вероятно также, что Samsung продолжала сталкиваться с производственными трудностями, поскольку в то время не изучала возможность применения fork sheet. С помощью дополнительных исследований компания, возможно, преодолела эту проблему, но только время покажет, будет ли ее техпроцесс 1 нм успешным в реализации. Судя по Exynos 2600, который страдает от проблем с пиковым энергопотреблением, из-за которых SoC потребляет 30 Вт при запуске бенчмарков, таких как Geekbench 6, Samsung еще предстоит решить проблему энергоэффективности своего техпроцесса 2 нм GAA.
Этот негативный аспект также приводит к деградации времени автономной работы, поэтому версия Galaxy S26 со Snapdragon 8 Elite Gen 5 работает на 28 процентов дольше, чем вариант с Exynos 2600. Короче говоря, у Samsung есть слабые места, которые необходимо устранить, начиная со второго поколения техпроцесса 2 нм GAA, также известного как SF2P.
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Omar Sohail