Компания Samsung во вторник представила следующее поколение высокоскоростной памяти HBM4E, твердотельные накопители PCIe Gen6 и оперативную память SOCAMM2. Всё это может найти применение на платформах искусственного интеллекта производства компании NVIDIA. Изображение: wccftech.comУ памяти HBM4E скорость ввода-вывода достигает 16 Гбит/с при пропускной способности на один стек до 4 ТБ/с. 16-слойные стеки дают 48 ГБ на один стек. Данная память предназначена для работы в составе платформы NVIDIA Rubin Ultra. В её состав войдут два чиплета графического процессора и 16 блоков памяти HBM. Результатом станет ёмкость HBM4E в 384 ГБ и пропускная способность до 64 ТБ/с. Также посетители выставки получили возможность ознакомиться с технологией гибридного медного соединения. Этот метод обеспечивает 16 и более слоёв памяти HBM, снижая тепловое сопротивление более чем на 20%. Изображение: wccftech.comЧто касается модуля памяти SOCAMM2, он создан на базе энергоэффективной памяти DRAM. Это вариант для
Samsung анонсировала память HBM4E ёмкостью 48 ГБ с пропускной способностью 4 ТБ/с на стек
17 марта17 мар
10
1 мин