🧪 Создан атомарно тонкий сегнетоэлектрический транзистор с рекордным числом состояний памяти
Исследователи из Нанкинский университет аэронавтики и астронавтики представили транзистор толщиной всего в несколько атомов, способный хранить 3024 стабильных состояния поляризации. Работа опубликована в Nature Electronics.
Устройство построено на одноатомных слоях графена и гексагонального нитрида бора, которые слегка смещены относительно друг друга. Управляя напряжением, учёные добились десятков уровней поляризации в каждом режиме. Всего реализовано 84 режима — это значительно больше, чем у существующих аналогов, где число состояний обычно не превышает 32.
Состояния сохраняются более 100 000 секунд при комнатной температуре. В тестах по распознаванию изображений транзистор показал точность около 93%, что открывает перспективы для нейроморфных систем и энергоэффективной памяти нового поколения.
Может ли такая архитектура изменить подход к созданию многозначной памяти и ИИ-чипов? 🤔