IBM и Lam Research объявили о пятилетнем партнёрстве, направленном на создание материалов и производственных процессов для логических микросхем масштаба менее 1 нм.
Компании сотрудничают уже более десяти лет — вместе они участвовали в разработке 7‑нм техпроцесса, нанолистовых транзисторов и ранних EUV‑процессов. Теперь фокус смещается на проверку полных технологических цепочек для нанолистовых и наностековых архитектур, а также на внедрение подачи питания с обратной стороны.
Ключевым элементом станет технология сухого резиста Aether от Lam, которая лучше подходит для высокоапертурной EUV‑литографии. В документе отмечается, что «металлоорганические соединения Aether поглощают в три‑пять раз больше ультрафиолетового излучения», что снижает дозу экспонирования и позволяет обходиться без дорогих многоступенчатых процессов формирования рисунка.
Цель сотрудничества — обеспечить надёжную передачу высокоапертурных EUV‑структур в реальные слои устройств, повысить выход годных чипов и ускорить внедрение High NA EUV в массовое производство. Параллельно команды будут разрабатывать технологии для нанолистовых транзисторов и архитектуры с подачей питания через заднюю сторону пластины.
По словам компаний, эти разработки станут основой для будущих логических устройств следующего поколения.
