IBM и Lam Research объявили о пятилетнем сотрудничестве для разработки материалов и процессов для масштабирования логических чипов за пределы 1 нм с использованием High NA EUV. Обе компании сотрудничают более десяти лет, при этом IBM в 2021 году представила первый в мире чип по техпроцессу 2 нм. — tomshardware.com
IBM и Lam Research объявили о пятилетнем сотрудничестве, направленном на разработку материалов и технологических процессов, необходимых для масштабирования логических чипов за пределы 1 нм с использованием литографии High NA EUV и технологии сухого фоторезиста Aether от Lam. Работа будет проводиться на объектах IBM Research в комплексе Albany NanoTech при NY Creates в Олбани, штат Нью-Йорк. Две компании сотрудничают уже более десяти лет, внеся вклад в разработку техпроцесса 7 нм, архитектуры транзисторов на нанолистах и раннюю интеграцию процессов EUV. В 2021 году в рамках этого партнерства IBM представила первый в мире чип по техпроцессу 2 нм. Согласно новому соглашению, акцент сместится на валидацию полных технологических потоков для устройств с архитектурой на нанолистах и наностопках, а также на подачу питания с обратной стороны, с использованием платформ травления Kiyo и Akara от Lam, систем нанесения покрытий Striker и ALTUS Halo, а также сухого фоторезиста Aether. Традиционная литография EUV полагается на химически усиленные фоторезисты — материалы для влажной обработки, которые испытывают трудности с более жесткими допусками, требуемыми сканерами High NA EUV. Технология Aether от Lam, в свою очередь, представляет собой сухой фоторезист, наносимый с помощью прекурсоров в паровой фазе, а не методом центрифугирования, и проявляемый с использованием плазменных сухих процессов. Металлоорганические соединения Aether поглощают в три-пять раз больше EUV-излучения, чем традиционные углеродные материалы для фоторезистов, что снижает дозу облучения, необходимую для одного прохода пластины, и помогает поддерживать однократное формирование рисунка на передовых узлах без необходимости более дорогостоящего многократного паттернирования. В январе Lam объявила, что Aether был выбран ведущим производителем памяти в качестве эталонного инструмента для его самых передовых процессов DRAM, хотя название производителя не было раскрыто. Согласно совместному заявлению, сотрудничество направлено на обеспечение надежной передачи рисунков High NA EUV в реальные слои устройств с высоким выходом и ускорение внедрения High NA EUV в отрасли для межсоединений и формирования рисунка устройств следующего поколения. Именно в проблеме выхода при переносе технология сухого фоторезиста Aether от Lam имеет преимущество перед традиционными влажными процессами, поскольку меньшее количество шагов между экспонированием и травлением оставляет меньше возможностей для деградации рисунка при более жестких геометриях. Транзисторы на нанолистах укладывают несколько тонких кремниевых листов для увеличения тока проводимости без расширения площади устройства. В пресс-релизе подтверждается, что команды создадут и проверят полные технологические потоки как для устройств на нанолистах, так и на наностопках, наряду с подачей питания с обратной стороны, которая направляет энергию через заднюю часть пластины, освобождая слои межсоединений на передней стороне для маршрутизации сигналов. «В совокупности эти возможности призваны обеспечить надежную передачу рисунков High‑NA EUV в реальные слои устройств с высоким выходом, а также способствовать дальнейшему масштабированию, улучшению производительности и созданию жизнеспособных путей к производству будущих логических устройств», — говорится в пресс-релизе.
Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.
Автор – Luke James