Южнокорейская компания SK hynix объявила о завершении проверки новой мобильной памяти LPDDR6, созданной по техпроцессу шестого поколения 10 нм — так называемому 1c. Разработку ориентируют на устройства с функциями искусственного интеллекта, где скорость обмена данными и расход энергии играют ключевую роль. Изображение - WCCFTech Новая микросхема получила емкость 16 Гбит. Базовая рабочая скорость превышает 10,7 Гбит/с, что выше максимальных показателей предыдущих решений компании. По оценке разработчика, обработка данных проходит примерно на 33% быстрее по сравнению с памятью LPDDR5X. Инженеры изменили архитектуру передачи данных. В памяти применили субканальную структуру: она задействует только те каналы, которые нужны в конкретный момент. Такой подход снижает нагрузку на систему. Дополнительно работает технология DVFS — динамическая настройка частоты и напряжения. При высокой нагрузке, например в мобильных играх, система увеличивает пропускную способность. При обычном использовании он
SK hynix разработала и готова производить 16-гигабитную память LPDDR6 со скоростью более 10,7 Гбит/с
10 марта10 мар
15
1 мин