рентгеновского излучения Представлен фотодетектор на основе GaAs, который является шагом к созданию 3D-детектора для регистрации высокоэнергетических рентгеновских импульсов. Устройство демонстрирует характеристики, позволяющие оценить производительность финального прибора с умножающим слоем. Измерения с помощью лазера показали способность фотодетектора обнаруживать импульсы, соответствующие 1 000 000 электронов в импульсе. arXiv: 2603.02762 Обзоры | Физика
Фотодетектор с ёмкостной связью GaAs p-i-n/подложка с омическими контактами на слаболегированном n-GaAs для визуализации жёсткого рентгеновского излучения
Представлен фотодетектор на основе GaAs, который является шагом к созданию 3D-детектора для регистрации высокоэнергетических рентгеновских импульсов. Устройство демонстрирует характеристики, позволяющие оценить производительность финального прибора с умножающим слоем. Измерения с помощью лазера показали способность фотодетектора обнаруживать импульсы, соответствующие 1 000 000 электронов в импульсе.
arXiv: 2603.02762
