Специалисты Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН исследуют потенциал квантовых точек для создания инновационных запоминающих устройств. Технология будущего улучшит ключевые параметры памяти: продлит автономное хранение данных, увеличит циклы перезаписи и ускорит обработку. Это значительный шаг к реализации концепции универсальной памяти. Квантовые точки — нанокристаллы размером менее 20 нанометров из тысяч атомов. Изменяя материал и габариты точек, физики управляют их электрическими, оптическими и термическими характеристиками. Мировое признание значимости технологии подтвердила Нобелевская премия по химии 2023 года. Универсальная память сочетает долговечность хранения данных (аналогично флеш-накопителям) со скоростью обработки (как у оперативной памяти). Перспективное направление — флеш-память с самоорганизующимися квантовыми точками для хранения заряда. Ученые ИФП СО РАН подбирают материалы для точек с максимальной энергией локализации электронов, что критично дл