👀 Samsung закрывает 2D NAND и ставит на HBM4
Samsung завершает производство устаревшей планарной 2D NAND на заводе №12 в Хвасоне (мощность 80–100 тыс. пластин/мес) и перепрофилирует линию под 10-нм DRAM для HBM4 уже с марта 2026:
• 2D NAND уходит в историю — 3D NAND превосходит по ёмкости, надёжности и скорости
• новая линия будет делать металлизацию 1c DRAM (6-е поколение 10 нм) для HBM4
• общая мощность DRAM Samsung с Пхёнтэком вырастет до ~200 тыс. пластин/мес
• HBM4 критически важна для ИИ-ускорителей NVIDIA/AMD с TDP в киловатты
• Samsung догоняет SK hynix в гонке за лидерство HBM
Переход освобождает мощности под высокодоходную HBM4, где спрос от ИИ-центров превышает предложение.
Нужна ли HBM4 для потребительских GPU или только для серверов? 🤔
🗺 #Sаmsung|#Нaкопитeли
