Структурно схема интегрального усилителя мощности HPA12-CH состоит из входного дифференциального, компенсационного и двухтактного усилительного каскадов, а также защитной схемы ограничения тока.
Внутренний чип изготовлен по биполярной технологии, а в двухтактном каскаде используются биполярные транзисторы, которые работают в границах линейной области и имеют хорошие параметры по электромагнитной совместимости (отсутствуют искажения сигнала при максимальной мощности).
Все компоненты изделия, такие как операционный усилитель, диоды, транзисторы, в том числе составной сборки по схеме Дарлингтона, и конденсаторы используются с запасом по мощности в соответствии с требованиями стандарта GJB235 «Руководство по снижению номинальной мощности компонентов».
Данное устройство является силовым, поэтому надёжная тепловая конструкция имеет первостепенное значение. Компоненты установлены на керамической подложке, выполненной из оксида бериллия (BeO) и припаянной непосредственно к основанию корпуса. Керамика на основе оксида бериллия обладает очень высокой теплопроводностью, что позволяет эффективно отводить тепло от активных элементов микросхемы. Конструкция минимизирует внутреннее тепловое сопротивление, улучшает рассеивание тепла от внутренних тепловыделяющих компонентов, снижает повышение температуры, предотвращает перегрев и повышает надёжность изделия.
Микросхема выполнена в металлическом корпусе T-образного типа, герметизированного методом шовно-роликовой сварки. Показатель герметичности корпуса по скорости утечки гелия не более 5×10-3 Па·м3/с (проверка герметичности по методу 1014.2 стандарта GJB548B-2005). Выводы выполнены из меди 4J50 с покрытием. Материал корпуса – высококачественная конструкционная углеродистая сталь (10#) с никелевым покрытием (HNi-1/Ni5).
Габариты корпуса — 39,36×25,90×6,70 мм, длина выводов — 11 мм. Вес — не более 20 г.
Максимальные номинальные параметры:
- Напряжение питания: ±40 В;
- Температура хранения -65… +150°C;
- Тепловое сопротивление (rth(J-C)): 1,8°C/Вт;
- Температурная стойкость при пайке свинцовой проволокой: 300°C (длительность 10 с).
Рекомендуемые условия работы:
- Напряжение питания: + 10…+35 В/ - 35…-10 В;
- Диапазон рабочих температур: -55…+125°С;
- Стойкость к электростатическому разряду не менее 2000 В (испытания проводятся по Методу 3015 стандарта GJB548B-2005).
Назначение выводов микросхемы усилителя мощности HPA12-CH
Электрические характеристики усилителя
Гибридный усилитель мощности разработан и производится Восточно-Китайским научно-исследовательским институтом микроэлектроники в соответствии с требованиями национальных производственных стандартов:
- GJB 548B-2005 «Методы и процедуры испытаний микроэлектроники» (соответствует MIL-STD-883 «Test Methods and Procedures for Microelectronics»);
- GJB 2438B-2017 «Технические требования к гибридным микросхемам. Общая спецификация» (соответствует спецификации MIL-PRF-38534 «Hybrid Microcircuits, General Specification For»);
- GJB 360B-2009 «Методы испытаний электронных и электротехнических компонентов» соответствует MIL-STD-202 «Test Method Standard Electronic and Electrical Component Parts»).
Источник: https://www.prochip.ru/news/hpa12.html
Больше интересного – на медиапортале https://www.cta.ru/