Японская компания Toshiba сообщила о создании сразу двух решений для gate-драйверов нового поколения. Разработка нацелена на то, чтобы раскрыть потенциал силовых приборов на карбиде кремния (SiC) и тем самым сделать системы электропитания более экономичными и компактными. В первую очередь речь идет об инверторах электромобилей и оборудовании центров обработки данных, где потери и габариты критичны. Читать на сайте: Toshiba представила два решения для SiC-драйверов нового поколения: потери в инверторах электромобилей снизят до 84% SiC-устройства давно ценят за высокую скорость переключения: по этому параметру они заметно превосходят классические кремниевые аналоги и способны ощутимо снижать энергопотери. Но у такой скорости есть обратная сторона: инженерам приходится искать баланс между уменьшением потерь и ростом шумов, которые появляются при агрессивных режимах работы. Первое решение Toshiba получило название Feedback type active gate Driver technology. Его ключевая особенность — функ
Toshiba представила два решения для SiC-драйверов нового поколения: потери в инверторах электромобилей снизят до 84%
20 февраля20 фев
2
2 мин