Прохождение света сквозь разные материалы обычно сопровождается закономерным изменением его направления, которое называется рефракцией. Этот эффект возникает в результате изменения скорости распространения света при пересечении границы между двумя средами. Впрочем, встречаются исключения, когда свет отклоняется в противоположную сторону, демонстрируя феномен отрицательного преломления, пишет Phys.org. Специалисты из Гонконга впервые достигли успеха в создании отрицательной дифракции, используя особенности поведения экситонов в магнитном полупроводнике CrSBr. Им удалось сконструировать особый нанофотонный чип, выполняющий роль гиперлинзы, чтобы детально исследовать ультрамалые объекты. Ранее подобные исследования велись преимущественно с применением плазмонных метаматериалов, но сложности в производстве таких структур вынудили ученых искать природные аналоги, способные воспроизводить аналогичные эффекты. В качестве основного материала был выбран CrSBr — слоистый магнитный полупроводник,