Российские учёные из МФТИ совместно с коллегами из Международного физического центра Доностии (DIPC) создали новый гибридный материал, соединив сверхтонкую плёнку висмута (бислой) с магнитным топологическим изолятором MnBi₂Te₄. Оба компонента по отдельности обладают уникальными свойствами, но их объединение привело к принципиально новым эффектам. Используя фотоэлектронную спектроскопию, исследователи обнаружили на границе раздела материалов новые электронные состояния, в том числе с высоким числом Черна. Это означает возможность создавать стабильные квантовые состояния, что критически важно для разработки кубитов и спинтронных устройств. Главный результат — способность тонко настраивать электронные свойства материала, управляя взаимодействием между слоями. Открытие приближает создание энергоэффективной электроники нового поколения, устойчивой к внешним воздействиям. ПромТех