Компания Intel решила всех удивить своим новым детищем — памятью Z-Angle Memory (или сокращенно ZAM), которую планируют представить миру в качестве замены привычной HBM-памяти. На днях прошел показ первого рабочего прототипа, правда, никакой конкретной даты выхода новинки пока не сообщили, да и стоимость будущего продукта остается загадкой даже для самих инженеров Intel.
Что интересно, новая технология обещает сделать настоящую революцию в мире компьютерных компонентов благодаря своей уникальной особенности — диагональному расположению соединений внутри многослойного кристалла. Вместо традиционного метода просверливания отверстий вертикально сверху вниз, инженеры решили пойти другим путем и проложить дорожки по принципу зигзага. Возможно, именно этот ход позволит сократить энергопотребление аж на целых 40–50%, сохранив при этом объем памяти впечатляющих размеров — до 512 гигабайт!
Но самое забавное в демонстрации оказалось то, что никаких конкретных устройств, поддерживающих новую память, продемонстрировано не было. Так что пока мы можем лишь строить догадки о будущем этого проекта, надеясь, что однажды сможем увидеть его воплощение в реальности. Видимо, инженеры Intel тоже любят держать интригу и поддерживать интерес публики хотя бы таким образом. Ну а пока подождем и посмотрим, станет ли эта новинка настоящим прорывом или останется всего лишь занятным экспериментом разработчиков.
Источник: