Корейцы сделали ход, которого полупроводниковая отрасль ждала с прошлого лета. Samsung Electronics выводит на конвейер чипы высокоскоростной памяти шестого поколения HBM4 и делает это раньше всех на планете.
Три крупных южнокорейских издания (JoongAng Ilbo, The Korea Herald и агентство Yonhap News) синхронно подтвердили: старт серийного выпуска намечен на последние дни февраля 2026-го, а первые коммерческие отгрузки могут уйти заказчику сразу после каникул Лунного Нового года. Ни SK hynix, ни тем более Micron к этому моменту аналогичного продукта на рынок не вывели.
Адресат поставок — Nvidia. Память HBM4 от Samsung изначально проектировалась под архитектуру Vera Rubin: именно так называется следующее поколение ИИ-ускорителей корпорации Дженсена Хуанга, заточенное под задачи машинного обучения сверхбольшого масштаба. Публичная премьера Vera Rubin ожидается на ежегодной конференции GTC 2026, которая пройдёт в марте. Samsung подтвердил, что успешно преодолел все ступени квалификационного контроля со стороны Nvidia, получил подтверждённые заказы и выстроил производственный график таким образом, чтобы отгрузки точно попадали в релизное окно заказчика. Параллельно выросли объёмы тестовых образцов, которые уходят на верификацию — косвенный признак того, что обе стороны форсируют выход на полную мощность.
Что касается технической начинки, HBM4 заметно прибавил относительно предшественника — HBM3E пятого поколения, который сам по себе считался рекордсменом:
- Каждый кристалл обменивается данными на скорости до 11,7 Гбит/с — это на 37% выше порога, установленного отраслевым стандартом JEDEC (8 Гбит/с), и на 22% быстрее, чем выдавал HBM3E
- Один стек прокачивает через себя 3 Тбайт информации в секунду — цифра, которая ещё три года назад показалась бы фантастикой для памяти такого класса
- Базовая конфигурация — двенадцать слоёв общей ёмкостью 36 ГБ; в следующей итерации с шестнадцатислойной укладкой объём дорастёт до 48 ГБ
- В производстве задействована DRAM-норма шестого поколения 10-нм класса (маркировка 1c), а логический кристалл-компаньон изготовлен по четырёхнанометровому техпроцессу
Для того чтобы закрыть прогнозируемые объёмы поставок, Samsung провёл масштабную модернизацию фабрики Pyeongtaek Campus Line 4. По завершении апгрейда линия сможет обрабатывать порядка двухсот тысяч пластин ежемесячно по норме 1c DRAM. Чтобы оценить масштаб: это приблизительно каждая четвёртая пластина, которую Samsung в принципе выпускает в сегменте динамической памяти. Ставка серьёзная — компания буквально перекраивает загрузку флагманского завода под один продуктовый сегмент.
Чтобы понять, почему запуск HBM4 для Samsung — не рядовое событие, а попытка отыграться после двух болезненных проигрышей, нужно оглянуться на предыдущие раунды. В поколениях HBM3 и HBM3E корейский гигант ощутимо уступал соседу по стране — SK hynix. Тот первым договорился с Nvidia, первым вышел на массовые отгрузки и забрал себе основной кусок контрактов со стороны дата-центров, строивших ИИ-кластеры. Samsung оказался в непривычной позиции отстающего, и для компании с амбициями мирового лидера в полупроводниках это было болезненным ударом по репутации.
HBM4 — шанс переломить ситуацию. Впервые за несколько поколений Samsung стартует не вторым, а первым. Однако рынок пока не спешит переписывать расклад сил. Аналитическая группа SemiAnalysis опубликовала прогноз, согласно которому доли в сегменте HBM4 распределятся следующим образом:
- SK hynix удержит лидерство с примерно 70% рынка;
- Samsung заберёт около 30%;
- Micron в текущем цикле фактически остаётся за бортом — компания не успевает с разработкой конкурирующего продукта
Тридцать процентов — не то, на что рассчитывают в штаб-квартире Samsung. Но это стартовая точка: если первые коммерческие партии пройдут без нареканий по качеству и стабильности, переговорные позиции могут измениться уже во второй половине года.
Биржа отреагировала без паузы. В понедельник утром бумаги Samsung на площадке в Сеуле подскочили на 5,4% и достигли отметки 168 700 вон. Акции Nvidia на предыдущей американской сессии тоже росли уверенно — плюс 7,87%. Для инвестиционного сообщества сигнал прочитывается однозначно: Samsung и Nvidia по линии памяти шестого поколения — не декларация о намерениях, а работающая производственная цепочка с подписанными контрактами и запущенным конвейером. В условиях, когда бигтехи наращивают капитальные расходы на ИИ-инфраструктуру до рекордных уровней, каждый подтверждённый поставщик ключевых компонентов получает повышенное внимание со стороны фондов.
Появление коммерческих объёмов HBM4 к середине текущего года значит многое и для ИИ-отрасли в целом. Нейросетевые модели растут в размерах стремительно, и каждое следующее поколение LLM требует памяти с кратно большей пропускной способностью. Нынешний стандарт — HBM3E — уже ощущается как ограничитель для самых тяжёлых рабочих нагрузок. HBM4 с его тремя терабайтами в секунду на стек снимает часть этого давления и позволяет Nvidia вывести платформу Vera Rubin в срок, не упираясь в потолок по памяти.
Для Samsung ближайшие кварталы станут экзаменом. Компании предстоит доказать, что опережающий старт — не разовый рекорд, а устойчивое конкурентное преимущество. SK hynix уже продемонстрировал, что умеет догонять и перехватывать лидерство. Вопрос лишь в том, повторится ли этот сценарий — или шестое поколение памяти наконец расставит игроков по новым местам.