Компании onsemi и GlobalFoundries объявили о стратегическом партнерстве, направленном на разработку и массовое производство силовых полупроводниковых устройств на основе нитрида галлия (GaN) с рабочим напряжением 650 В. Новые решения ориентированы прежде всего на инфраструктуру искусственного интеллекта и автомобильные приложения, где энергоэффективность и плотность мощности становятся критически важными параметрами. Нитрид галлия рассматривается отраслью как один из наиболее перспективных материалов для силовой электроники. По сравнению с традиционными кремниевыми решениями GaN-устройства обеспечивают более высокую скорость переключения, меньшие потери энергии и компактные размеры. Это делает их особенно привлекательными для высоконагруженных систем, где важны эффективность и снижение тепловыделения. Устройства класса 650 В широко применяются в источниках питания для серверов, центров обработки данных, зарядной инфраструктуре электромобилей, инверторах и системах преобразования энерги
GlobalFoundries и onsemi объединяют усилия для выпуска 650-вольтовых GaN-устройств
8 февраля8 фев
2
3 мин