Компания Intel и японский холдинг SoftBank объявили о сотрудничестве, в рамках которого техногигант займётся производством скоростных модулей памяти. В сети появились первые подробности о деталях совместного проекта.
SoftBank заявила, что создаёт в Японии инфраструктуру ЦОД для выполнения ИИ-задач. Этот проект требует больших объёмов памяти — её и должна обеспечить Intel, выпуская модули на основе технологии Z-Angle Memory (ZAM).
В отличие от главного конкурента, архитектура ZAM подразумевает не вертикальную, а ступенчатую (диагональную) топологию межчиповых соединений. По предварительной информации, она превосходит HBM по нескольким параметрам: потребляет на 40–50% меньше электричества, проще в производстве за счёт Z-образных межсоединений и позволяет разместить на кристалле до 512 ГБ.
SoftBank рассчитывает получить прототипы новинок весной 2028 года.