Найти в Дзене
DigiNews

Ожидается, что цены на DRAM вырастут вдвое в первом квартале, так как амбиции в сфере AI заставляют заводы по производству памяти работать на пределе возможностей в се

Дефицит памяти DRAM и NAND flash усиливается из-за роста спроса на ИИ. Ожидается резкий рост цен в первом квартале 2026 года: NAND flash теперь прогнозируется рост на 55–60% по сравнению с Q4. Дефицит памяти оказался хуже, чем многие из нас изначально предполагали. Ожидается, что цены на память DRAM и NAND flash резко вырастут в первом квартале 2026 года, поскольку гиперскейлеры, управляемые ИИ, и поставщики облачных услуг (CSP) продолжают создавать нагрузку на цепочки поставок. В начале января отраслевые аналитики TrendForce предупреждали, что контрактные цены на DRAM, используемую во всем, от смартфонов до серверов, могут вырасти на 55–60 процентов последовательно в первом квартале 2026 года. В то же время ожидалось, что цены на NAND flash, используемую в твердотельных накопителях, вырастут на 33–38 процентов. На этой неделе TrendForce пересмотрела свои оценки: аналитики теперь прогнозируют, что контрактные цены на DRAM вырастут на 90–95 процентов квартал к кварталу, в то время как ц

Дефицит памяти DRAM и NAND flash усиливается из-за роста спроса на ИИ. Ожидается резкий рост цен в первом квартале 2026 года: NAND flash теперь прогнозируется рост на 55–60% по сравнению с Q4.

Дефицит памяти оказался хуже, чем многие из нас изначально предполагали. Ожидается, что цены на память DRAM и NAND flash резко вырастут в первом квартале 2026 года, поскольку гиперскейлеры, управляемые ИИ, и поставщики облачных услуг (CSP) продолжают создавать нагрузку на цепочки поставок.

В начале января отраслевые аналитики TrendForce предупреждали, что контрактные цены на DRAM, используемую во всем, от смартфонов до серверов, могут вырасти на 55–60 процентов последовательно в первом квартале 2026 года. В то же время ожидалось, что цены на NAND flash, используемую в твердотельных накопителях, вырастут на 33–38 процентов.

На этой неделе TrendForce пересмотрела свои оценки: аналитики теперь прогнозируют, что контрактные цены на DRAM вырастут на 90–95 процентов квартал к кварталу, в то время как цены на NAND, как ожидается, увеличатся на 55–60 процентов в текущем квартале.

Хотя основная вина лежит на спросе со стороны ИИ, TrendForce отмечает, что более высокие, чем ожидалось, поставки ПК в четвертом квартале 2025 года еще больше усугубили дефицит.

Как мы сообщали ранее, OEM-производители, такие как Dell и HP, как правило, закупают память оптом примерно за год до предполагаемого спроса. Если вы заметили, что цены на предустановленные OEM-системы оставались стабильными, в то время как отдельные комплекты памяти утроились в цене, то это одна из причин. Но по мере истощения запасов и пополнения их OEM-производителями ожидайте роста цен на системы.

TrendForce теперь ожидает, что цены на DRAM для ПК примерно удвоятся по сравнению с праздничным кварталом. Фирма прогнозирует аналогичное резкое повышение цен на память LPDDR, используемую в ноутбуках и других системах с распаянной оперативной памятью, а также в смартфонах. TrendForce прогнозирует, что цены на память LPDDR4x и LPDDR5x вырастут примерно на 90 процентов квартал к кварталу, что станет «самым резким ростом в их истории».

Хотя до сих пор память LPDDR в основном использовалась в ноутбуках, самые мощные стоечные системы Nvidia содержат по 54 терабайта памяти LPDDR5x каждая, что, по нашим ощущениям, не способствует улучшению ситуации.

Ожидается также резкий рост цен на NAND flash в течение квартала, поскольку гиперскейлеры и CSP стремятся развернуть как можно больше SSD для поддержки рабочих нагрузок вывода ИИ.

«Спрос на высокопроизводительные накопители значительно превзошел первоначальные ожидания, поскольку приложения ИИ, основанные на выводе, продолжают расти», — говорится в сообщении TrendForce. «С конца 2025 года ведущие североамериканские CSP быстро увеличивают закупки, что приводит к всплеску заказов на корпоративные SSD».

По мере того как инфраструктура ИИ продолжает переходить от преимущественно обучения к доминированию вывода, требуются дополнительные DRAM и хранилища.

Во время вывода больших языковых моделей (LLM) состояние модели хранится в так называемом ключевом/значимом кеше (key-value cache). Это можно рассматривать как кратковременную память модели. Во время активного использования, например, в сеансе чат-бота, этот KV-кеш вычисляется и обычно хранится в HBM. Когда сеанс переходит в режим ожидания, этот предварительно вычисленный KV-кеш затем перемещается в более медленную системную память, а во многих случаях в конечном итоге попадает на уровень хранения.

Храня KV-кеш, поставщики услуг вывода могут значительно сократить вычислительные ресурсы, необходимые для длительного многосеансового вывода, а также повысить интерактивность для пользователей.

Недостатком всего этого является то, что хранение всех этих предварительно вычисленных KV-кешей требует большого объема памяти.

Если вы надеялись на облегчение после «зимы памяти», не питайте иллюзий. Хотя у производителей памяти теперь есть капитал для новых фабрик, ввод этих объектов в эксплуатацию займет годы.

Как мы ранее сообщали, хотя ожидается, что цены на DRAM достигнут пика позднее в этом году, потребуется несколько лет, прежде чем они вернутся к норме. Ожидается, что цены останутся высокими до 2028 года. ®

Всегда имейте в виду, что редакции могут придерживаться предвзятых взглядов в освещении новостей.

Автор – Tobias Mann

Оригинал статьи