С декабря 2025 года американская компания onsemi укрепляет свои позиции в сфере интеллектуальных энергетических решений. Это стало возможным благодаря новому партнерству с GlobalFoundries(GF). Компании совместно займутся разработкой и производством передовых силовых устройств на основе нитрида галлия (GaN), начиная с напряжения 650 В. Разработчики будут использовать 200-мм технологию GF eModeна основе GaN-on-Silicon в сочетании с передовыми кремниевыми драйверами от onsemi.
Вместе с экспертами «ЗУМ-СМД» рассмотрим проект, который планируют запустить GlobalFoundries и onsemi для центров обработки данных ИИ, в автомобильной, промышленной, аэрокосмической, оборонной отраслях, а также в системах безопасности.
Нитрид галлия стал драйвером инноваций в электронике нового поколения
В сфере современной микроэлектроники нитрид галлия (GaN) признан одним из наиболее эффективных материалов, имеющим высокий потенциал для развития силовой электроники. В сравнении с традиционными кремниевыми аналогами, устройства на основе GaN демонстрируют:
- превосходство по скорости коммутации;
- минимизацию энергетических потерь;
- уменьшенные габариты электронных компонентов.
Эти и другие характеристики делают их крайне востребованными для применения в системах с повышенными нагрузками, где критически важны показатели энергоэффективности и теплоотвода.
Электронные компоненты с номинальным напряжением до 650 В являются неотъемлемой частью современных систем электропитания. Они находят широкое применение:
- в серверах;
- для центров обработки данных;
- при создании зарядных станций для электромобилей;
- в бытовых и промышленных инверторах, преобразователях энергии.
Ускоренное развитие ИИ и повсеместная электрификация транспорта стимулируют экспоненциальный рост потребности в данных устройствах.
Положительные стороны сотрудничества
Партнерство с компанией GlobalFoundries, использующей передовой процесс GaN, в сочетании с разработками onsemi в области систем и продуктов, открывает двери для создания инновационных силовых устройств, работающих при напряжении до 650 В.
Новые разработки на базе GaN в сочетании с Si-драйверами и контроллерами позволят партнерам создавать миниатюрные и высокопроизводительные блоки питания для бурно растущих сегментов: дата-центров с ИИ, электромобилей и космической отрасли.
Поставки пробных образцов намечены на первую половину 2026 года, после чего запустят серийное производство. Об этом сообщил Динеш Раманатан, старший вице-президент по корпоративной стратегии onsemi.
Для достижения беспрецедентной плотности мощности и эффективности, разработчики от onsemi, объединят свои кремниевые драйверы (лидирующие сейчас на рынке), контроллеры и термостойкие корпуса с инновационной технологической платформой GaN GF 650 В. Результатом станут оптимизированные GaN-устройства, критически важные для питания центров обработки данных ИИ. Это источники питания и конвертеры постоянного тока, а также системы для повышения производительности электромобилей и бортовых зарядных устройств, например, DC/DC-преобразователи.