Samsung запускает массовое производство микросхем памяти HBM4 для систем искусственного интеллекта

Компания Samsung Electronics официально объявила о запуске массового производства микросхем памяти нового поколения HBM4, предназначенных для систем искусственного интеллекта. Эти чипы обладают высокой пропускной способностью и становятся ключевыми компонентами для масштабирования крупных центров обработки данных.

По информации компании, старт выпуска соответствует первым в отрасли достижениям и гарантирует сохранение лидирующих позиций на рынке HBM4. Ожидается, что американская корпорация Nvidia станет одним из основных покупателей этих новых микрочипов.

С учетом роста числа дата-центров, ориентированных на задачи искусственного интеллекта, спрос на современные микросхемы памяти значительно увеличился. Samsung сообщает, что новый чип превышает отраслевые стандарты по скорости обработки данных более чем на 40% по сравнению с предыдущими моделями.

Сегодня на южнокорейской фондовой бирже акции Samsung Electronics выросли более чем на шесть процентов. Ранее правительство Южной Кореи сообщало о намерении войти в тройку мировых лидеров в области искусственного интеллекта наряду с США и Китаем.

Главной особенностью новых чипов является использование передовых технологий, таких как техпроцесс 4 нм для логического слоя и шестое поколение 10-нм класса (1c) для чипов DRAM, что позволило достичь рекордных характеристик. Скорость работы составляет 11,7 Гбит/с, с максимальной до 13 Гбит/с, и пропускная способность достигла 3,3 ТБ/с на стек, что в 2,7 раза превышает показатели предшественников HBM3E.

В настоящее время Samsung предлагает решения объемом 24 и 36 ГБ (12-слойные) и планирует начать выпуск 16-слойных модулей объемом 48 ГБ. Компания также прогнозирует, что в 2026 году продажи HBM вырастут более чем в три раза по сравнению с 2025 годом. Параллельно с этим, Samsung собирается начать тестирование усовершенствованной версии HBM4E уже во второй половине 2026 года.

]]>