Флэш-память в своей наиболее распространённой сегодня версии, NAND, образуется массивами крохотных (характерный масштаб — доли микрометра) конденсаторов, каждый из которых содержит определённый уровень заряда. Самые первые микросхемы такого типа состояли из одноуровневых ячеек — single level cells, SLC, — конденсатор в каждой из которых в процессе эксплуатации либо заряжен, либо нет; таким образом кодируются логические «0» и «1» — по одному биту данных на ячейку. Затем, с ростом чувствительности контроллеров, появились многоуровневые конденсаторы, multi-level cells (MLC), способные хранить заряд нескольких уверенно различимых значений, кодируя тем самым уже по два бита на ячейку — «00», «01», «10», «11». Далее по аналогичному принципу была разработана флэш-память с тремя, четырьмя и даже пятью битами на ячейку; TLC, QLC и PLC соответственно. Каждый очередной этап уплотнения битов в ячейках позволял заметно удешевлять условный 1 Тбайт ёмкости NAND-памяти — правда, за счёт снижения её на
Памяти MLC NAND станет меньше — но не потому, что снизился спрос
2 февраля2 фев
14
3 мин