В России начата разработка принципиально нового оборудования для производства микросхем, которое должно в перспективе обеспечить выход на современные технологические нормы. Институт физики микроструктур РАН представил дорожную карту проекта по созданию отечественных литографических установок.
Поэтапный план до 2036 года
Проект разделен на три ключевых этапа, каждый из которых направлен на достижение определенного технологического уровня:
- 2026–2028 гг.: Создание литографа для 40-нанометрового техпроцесса с производительностью более 5 пластин в час. Этап заложит технологический фундамент.
- 2029–2032 гг.: Разработка установок для производства чипов по 14-нм норме с целевой производительностью свыше 50 пластин в час.
- К 2036 году: Финальная цель — создание машины, способной выпускать чипы с техпроцессом менее 10 нм и производительностью более 100 пластин в час.
Принципиально иная технология
В отличие от доминирующих на рынке голландских установок ASML, использующих сложные и дорогие технологии экстремального ультрафиолета (EUV) с оловянной плазмой, российские разработчики предлагают альтернативный путь.
В основе новой конструкции заложены следующие решения:
- Источник излучения: Гибридные твердотельные лазеры и ксеноновая плазма вместо традиционного олова. Это должно значительно снизить затраты на обслуживание и упростить систему.
- Оптика: Применение специальных зеркал на основе рутения и бериллия, что позволит отказаться от сложных иммерсионных (погружных) технологий, используемых в DUV-литографии.
- Эволюционный подход: На каждом этапе планируется поэтапное улучшение оптической системы и увеличение эффективности сканирования.
Цель — конкурентоспособность
Разработчики ставят амбициозную задачу не только создать функционирующее оборудование, но и добиться более низкой итоговой стоимости выпуска чипов по сравнению с зарубежными аналогами — установками ASML серий Twinscan NXE (DUV) и EXE (EUV).
Данный проект представляет собой стратегическую попытку создать независимую от западных технологий базу для производства современных микроэлектронных компонентов. Успех будет зависеть от выполнения намеченных этапов и достижения заявленных технико-экономических показателей.