В 2030 году на площадке предприятия "Исток" во Фрязино планируется запуск производства кристаллов для силовой электроники. Проект получил название "Фабрика". Он рассматривается как одна из мер импортонезависимости в сегменте СВЧ-компонентов и силовой полупроводниковой базы. Инвестиции по предварительным оценкам, могут достигать десятков миллиардов рублей, что сопоставимо с затратами на создание полного цикла - от подложки до готовых микросхем.
Проектная мощность предприятия составит до 24 тысяч пластин в год при диаметре 150мм. Ежемесячно линия рассчитана на обработку около тысячи пластин из арсенида галлия и стольких же из нитрида галлия. На этих материалах планируется выпускать кристаллы для СВЧ-транзисторов и монолитных интегральных схем, ориентированных на силовые и радиочастотные применения - от радиоэлектронной аппаратуры до телеком-инфраструктуры и РЛС.
Заявленные технологические нормы охватывают широкий диапазон. Для GaAs предусмотрены уровни 0,5 мкм, 0,25 мкм, 0,2 мкм и 0,1 мкм; для GaN - 0,25 мкм, 0,1 мкм, 0,06 мкм и 0,04 мкм. Это позволит адаптировать линейку под задачи высокой мощности, высоких температур и компактных усилителей в C-Ku диапазонах. Переход на унифицированный диаметр пластин 150 мм, снизит себестоимость, упростит масштабирование и повысит повторяемость процессов за счет автоматизации.
Инфраструктура задумывается как экосистема полного цикла. В ее состав войдут: центр проектирования СВЧ-изделий, линии по выпуску подложек из арсенида галлия, карбида кремния и высокочистого кремния, а также отдельные фабрики для GaAs и GaN. Для подготовки кадров планируется партнерство с РТУ МИРЭА, НИУ МИЭТ, МИСИС и др.
Спрос на внутреннем рынке превышает предложение: отечественные производители выпускают не более пяти тысяч пластин GaAs с диаметром 76 мм в год, при потребности в 20-25 тысяч. Технологический маршрут включает полный набор операций: выращивание монокристалла в тиглях, резку на пластины, многостадийную шлифовку, полировку и травление. Подложки направляются на эпитаксию и фотолитографию, где формируются структуры транзисторов и интегральных схем. Далее идёт металлизация, разделение кристаллов, корпусирование и электрические испытания.
На площадке "Истока" дополнительно планируется полигон для испытаний технологического оборудования и особо чистых материалов площадью около 10000 кв.м. Предварительный бюджет - 5,8 млрд рублей. Старт стройки запланирован на 3-й квартал 2025 года, а ввод в эксплуатацию - 1-й квартал 2027-го.
Интересные факты:
- Нитрид-галлиевые устройства сохраняют работоспособность при температурах свыше 200 градусов и обеспечивают высокую удельную мощность, что критично для радаров, спутниковой связи и 5G/6G-базовых станций
- Переход с пластин 76 мм на 150 мм в типичных проектах позволяет увеличить выпуск годных кристаллов на 70-90% благодаря лучшему использованию площади и повышению уровня автоматизации
- В массовом производстве GaN чаще применяют MOCVD, тогда как MBE востребована для высокоточных слоёв GaAs в СВЧ-приемниках
- Чистые комнаты уровней ISO 4-5 допускают сотни частиц размером 0,5 мкм на кубический метр, что жёстче требований к операционным блокам
- Современные HEMT на GaN и HBT на GaAs обеспечивают низкий уровень шумов и высокую линейность, что важно для приемопередающих модулей и энергоэффективных усилителей
Нужно оборудование?
Звоните: 8 (800) 777-23-97
Точных Вам измерений!