Корейские специалисты по микроэлектронике представили долгосрочный прогноз развития отрасли. Согласно новой дорожной карте, в течение ближайших 15 лет полупроводниковая индустрия может совершить качественный скачок.
В документе под названием Semiconductor Technology Roadmap 2026 прогнозируется появление чипов, изготовленных по 0,2-нанометровому техпроцессу. Для сравнения, сегодня самым передовым решением считается 2-нм Gate-All-Around, недавно представленный Samsung. Именно эта технология легла в основу нового чипа Exynos 2600.
Переход к 0,2 нм потребует преодоления серьёзных технологических ограничений. Согласно прогнозу, к 2040 году такие чипы будут использовать транзисторы CFET и монолитную 3D-структуру. Параллельно ожидается рост плотности памяти. Число слоёв NAND-памяти увеличится с 321 до 2000, а DRAM уменьшит техпроцесс с 11 до 6 нм.
Высокоскоростная память HBM может вырасти с 12 до 30 слоёв и с 2 до 128 ТБ/с по части пропускной способности. Отдельное внимание уделяется ИИ-процессорам. Если сегодня они выдают около 10 TOPS (триллионов операций в секунду), то через 15 лет чипы смогут достигать 1000 TOPS.