В декабре 2025 года стало известно о патенте Huawei, описывающем метод производства полупроводниковых чипов класса 2 нм без использования экстремального ультрафиолетового (EUV) оборудования. Это решение стало ответом на санкции, ограничивающие доступ Китая к передовым литографическим технологиям, и демонстрирует попытку преодолеть технологические барьеры, с которыми ранее сталкивались и другие страны, включая СССР. mobile-review.com +3 Патент, поданный в 2022 году и ставший общедоступным недавно, основан на усовершенствованном методе многошаблонной литографии (SAQP — Self-Aligned Quadruple Patterning) с использованием инструментов глубокой ультрафиолетовой (DUV) литографии. Ключевое преимущество подхода — сокращение количества экспозиций DUV до четырёх, что значительно упрощает процесс по сравнению с традиционными многоэтапными схемами. mobile-review.com +2 Технология позволяет достичь металлического шага порядка 21 нм, что соответствует уровню 2-нм класса, к которому стремятся TSMC и
Новая технология 2-нм чипов от Huawei: как обойти санкции и ошибки прошлого
28 декабря 202528 дек 2025
4
2 мин