Российские исследователи сделали шаг к новой эпохе электроники, создав магнит толщиной в один атом. Учёные Дальневосточного федерального университета и Курчатовского института синтезировали первый в мире одноатомный слой альтермагнетика — материала нового класса, который сочетает сильные магнитные свойства с отсутствием мешающих внешних магнитных полей. Проект уже вошёл в ТОП‑10 главных научных открытий года по версии Российского научного фонда.
Ключевым достижением стала не только рекордная толщина, но и успешная интеграция ультратонких плёнок на основе гадолиния на стандартную кремниевую подложку — ту же, что используется в современной микроэлектронике. Это значит, что материал потенциально совместим с существующими технологиями производства чипов и может быть внедрён в реальные устройства без радикальной перестройки индустрии.
Альтермагнетик генерирует мощные спиновые сигналы, необходимые для обработки и передачи данных, но практически не создаёт внешнего магнитного поля. Это открывает путь к развитию спинтроники — направления, где информация кодируется не зарядом электрона, а его спином. Такие решения обещают процессоры и память нового поколения: быстрее, энергоэффективнее и компактнее, чем сегодняшние кремниевые чипы. Открытие российских учёных фактически закладывает фундамент для компьютеров будущего, которые будут работать на принципиально иных физических эффектах, сообщает АиФ.
Читайте также: