AMG Power анонсировал начало серийного производства линейки высоковольтных диодов Шоттки на основе карбида кремния (SiC SBD) – передовых полупроводниковых приборов, разработанных для применения в современных силовых электронных системах. Диоды представлены в нескольких типоразмерах корпусов – TO-220C-2L, TO-247-2, TO-247-3, TO-252 и TO-263-2 и охватывают широкий диапазон напряжений: 650, 1200 и 1700 В. Благодаря использованию технологий Gen 4 SiC, новые диоды обеспечивают низкое прямое падение напряжения (от 1,27 В), малую ёмкость перехода и высокую устойчивость к импульсным токам, что делает их идеальными для применения в источниках питания, инверторах, преобразователях частоты и системах быстрой зарядки электромобилей.
Благодаря уникальным физическим свойствам карбида кремния – высокой теплопроводности, широкой запрещённой зоне и способности выдерживать высокие электрические поля – SiC-диоды Шоттки обеспечивают значительно более высокую энергоэффективность, термостойкость и скорость переключения по сравнению с традиционными кремниевыми аналогами.
Эти характеристики позволяют разработчикам повысить КПД преобразователей до 98–99%, уменьшить габариты радиаторов и снизить общую стоимость системы за счёт упрощения теплового менеджмента.
Ключевые характеристики новых диодов
Новые SiC-диоды AMG Power разработаны на основе технологии четвёртого поколения (Gen 4) и предлагают следующие преимущества:
- обратные напряжения: 650, 1200 и 1700 В
- прямое падение напряжения от 1,27 В
- высокая устойчивость к импульсным токам (IFSM до 560 А)
- рассеиваемая мощность до 750 Вт (в корпусе TO-247-3)
Широкий выбор корпусов и номиналов
Диоды доступны в пяти корпусах TO-220C-2L, TO-247-2, TO-247-3, TO-252 и TO-263-2, что обеспечивает гибкость проектирования для различных приложений.