Современному разработчику электроники трудно обойтись без полевого транзистора с изолированным затвором (МОП-транзистора или MOSFET). Эти приборы получили широкое распространение благодаря простоте управления напряжением, высокой энергоэффективности, быстродействию и предсказуемости поведения. Дискретные MOSFET-транзисторы находят применение в обширном спектре схемотехнических решений. К ним относятся: узлы вторичных источников питания (корректоры коэффициента мощности, синхронные выпрямители, преобразователи напряжения), повышающие и понижающие DC-DC преобразователи, стабилизаторы тока и напряжения, защитные цепи, зарядные устройства, различные усилители, преобразователи и генераторы сигналов, а также узлы управления исполнительными устройствами. Сложившаяся ситуация ставит задачу перед разработчиком электронных устройств иметь достаточное понимание рынка дискретных полупроводников. Текущая ситуация требует от разработчика не только решить схемотехническую задачу, но и, обладая глу