Терагерцовое излучение от гребневых фотопроводящих антенн на основе Ge-on-Si Разработана фотопроводящая антенна для терагерцевого излучения с новым интерфейсом металл-изолятор-полупроводник. Она состоит из аморфной плёнки германия и электродов из сплава золота и германия. Антенна позволяет упростить процесс изготовления и повысить электрическую надёжность излучателя, а также снижает площадь неактивных зон на устройстве. Устройство способно генерировать терагерцевое излучение частотой до 2,5 ТГц с высоким соотношением сигнал/шум. arXiv: 2512.03820 Обзоры | Физика
Терагерцовое излучение от гребневых фотопроводящих антенн на основе Ge-on-Si
Разработана фотопроводящая антенна для терагерцевого излучения с новым интерфейсом металл-изолятор-полупроводник. Она состоит из аморфной плёнки германия и электродов из сплава золота и германия. Антенна позволяет упростить процесс изготовления и повысить электрическую надёжность излучателя, а также снижает площадь неактивных зон на устройстве. Устройство способно генерировать терагерцевое излучение частотой до 2,5 ТГц с высоким соотношением сигнал/шум.
arXiv: 2512.03820
