Исследователи Samsung опубликовали детальное описание экспериментальной архитектуры NAND, способной снизить одну из крупнейших статей энергопотребления технологии на 96%. Разработка описывает конструкцию ферроэлектрического полевого транзистора (FeFET) для будущей 3D NAND-памяти, совмещающую ферроэлектрик на основе гафния с оксидно-полупроводниковым каналом и вводящую операцию с близким к нулю напряжением прохода, что составляет основу заявленного снижения энергопотребления. В современной флеш-памяти при каждом чтении или записи данных требуется подавать электрический ток на множество управляющих линий внутри чипа. Чем больше слоёв памяти в чипе, тем больше энергии уходит на эту операцию. С ростом плотности современных накопителей эта проблема становится всё крупнее – затраты энергии на управление составляют значительную долю от общего потребления. Команда Samsung продемонстрировала работу новой технологии сначала на плоских массивах памяти, способных хранить до пяти бит информации
Исследователи Samsung разработали архитектуру NAND с энергопотреблением на 96% ниже современных решений
3 декабря 20253 дек 2025
1
2 мин