В Samsung создали новую флеш-память, которая отличается высокой плотностью хранения данных и очень низким энергопотреблением. В последнем выпуске журнала Nature ученые из Samsung совместно с австралийскими коллегами рассказали о создании NAND-флеш памяти нового поколения. Эта память будет значительно экономить энергию и при этом сохранять высокую плотность хранения данных. В своей разработке они объединили лучшие полупроводниковые технологии последних двух десятилетий — затворы из сегнетоэлектриков и каналы из оксидных полупроводников, тем самым представив флеш-память будущего. @partygarage
В Samsung создали новую флеш-память, которая отличается высокой плотностью хранения данных и очень низким энергопотреблением.
В последнем выпуске журнала Nature ученые из Samsung совместно с австралийскими коллегами рассказали о создании NAND-флеш памяти нового поколения. Эта память будет значительно экономить энергию и при этом сохранять высокую плотность хранения данных. В своей разработке они объединили лучшие полупроводниковые технологии последних двух десятилетий — затворы из сегнетоэлектриков и каналы из оксидных полупроводников, тем самым представив флеш-память будущего.
