BF998 на сегодня, наверное самый доступный из 2-х затворных высокочастотных MOSFET транзисторов. Отличие этого транзистора - низкое допустимое напряжение питания - 12 В и низкий допустимый ток стока - 30 mA. Транзистор имеет большую крутизну.
Как видим - линейный режим транзистора при напряжении исток - сток от 3 - х до 9 В. Крутизна при изменении напряжения на первом затворе 0 +- 0,2 В - 22,5 - 25 mA/B. Практическая схема усилителя на транзисторе BF998 с резистивной нагрузкой:
Напряжение на 2-м затворе 4 В. Резистор R4 - антипаразитный. Номинал резистора R3 здесь оптимальный. Если увеличивать сопротивление резистора R3 , для того, чтобы транзистор оставался в линейном режиме - напряжение исток - сток - 3 - 9 В, в цепь истока надо включить резистор. Если уменьшить сопротивление резистора R3 при импульсных помехах возможен выход транзистора из строя из-за превышения допустимого тока. В этом случае на входе придется предусмотреть диодный ограничитель. Коэффициент усиления усилителя без учета шунтирования следующим каскадом Ку = S * R3 = 22,5 * 0,33 = 7,4. Здесь S - крутизна полевого транзистора mA/B; R3 - в кОм - х.
Входная емкость транзистора 2,1 пФ. Если ослабление сигнала не допустимо, емкость С1 должна быть на порядок больше.
Схема эмиттерного повторителя на транзисторе BF998. Для получения оптимального режима - тока стока примерно 10 mA приходится поднимать потенциал первого затвора. Для этого на первый затвор подается смещение 3,3 В через резистор R3. А напряжение на втором затворе должно быть выше напряжения на первом затворе примерно на 4 В. Схема хорошо работает при невысоких амплитудах входного сигнала - до 1 В пик - пик.
Здесь приведена формула для расчета коэффициента передачи истокового повторителя, без учета влияния следующего каскада. Для приведенной схемы она равна 0,86, без учета влияния входного конденсатора.
Успехов в творчестве!