👀 SK hynix разрабатывает HBS — 16-слойная память для ИИ в смартфонах
Компания SK hynix работает над новой технологией высокоскоростной памяти (HBS), которая объединяет до 16 слоёв DRAM и NAND в одном корпусе. Это решение ориентировано на мобильные устройства с ИИ-функциями, включая будущие поколения смартфонов и планшетов.
📌 Ключевые детали
❓ Что такое HBS
🛑 HBS = High Bandwidth Storage
🛑 Комбинирует DRAM и NAND в одном модуле
🛑 До 16 слоёв, соединённых вертикально
🛑 Использует упаковку VFO (Vertical Fan-Out)
👑 Преимущества VFO
🛑 Прямая проводка вместо изогнутых соединений
🛑 Меньше задержек и потерь сигнала
🛑 Больше I/O-каналов
🛑 Выше производительность и энергоэффективность
📱 Где будет использоваться
🛑 Совместная упаковка с мобильными чипсетами
🛑 Потенциальная платформа запуска — Snapdragon 8 Gen 6 Pro
🛑 Поддержка LPDDR6 и UFS 5.0
💡 Почему это важно
🛑 В отличие от HBM, HBS не требует TSV (сквозных кремниевых отверстий)
🛑 Ниже стоимость, выше выход годных чипов
🛑 Идеально для массовых мобильных устройств с ИИ
Станет ли HBS новым стандартом для ИИ в смартфонах или останется нишевым решением? 🤨
🖥 Заказать сборку ПК в InterPC
🗺 #SkHуniх
