Samsung Foundry (KRX: 005930) делает агрессивные шаги для наращивания производства чипов 2nm и 3nm, что является стратегическим шагом в ответ на неутолимый мировой спрос на вычисления высокой производительности (HPC) и приложения искусственного интеллекта (ИИ). Это ускорение знаменует собой важный момент в полупроводниковой индустрии, поскольку южнокорейский технологический гигант стремится укрепить свои позиции против серьезных конкурентов и статьdominant в производстве чипов нового поколения. В основе стратегии передового узла Samsung Foundry лежит ее новаторское применение архитектуры транзисторов Gate-All-Around (GAA), в частности, Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET). Samsung первой в отрасли успешно внедрила технологию GAA в массовое производство с помощью своего 3nm процесса, что является значительным отличием от ее основного соперника, компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) (TWSE: 2330, NYSE: TSM), которая планирует внедрить GAA на узле 2nm. Технологический ск
Samsung Foundry ускоряет производство чипов 2nm и 3nm на фоне роста спроса на ИИ и HPC
23 октября 202523 окт 2025
3 мин