Ученые Стэнфордского университета изобрели способ борьбы с перегревом микрочипов: с помощью тонкого слоя алмазов, выращенных прямо на транзисторах, что снижает рабочую температуру полупроводников до 70 °C.
Актуально как никогда, учитывая, что у современных процессоров десятки и сотни миллиардов транзисторов, а традиционные радиаторы не могут эффективно отводить тепло из глубины кристалла.
И если раньше создание алмазных покрытий требовало более 1000 °C, что разрушало микросхемы, то решение стэнфордских исследователей позволяет выращивать алмазный слой непосредственно вокруг транзисторов при температуре всего 400 °C.
Технология, которая уже заинтересовала DARPA, TSMC и Samsung, может стать ключевым решением для чипов следующего поколения, особенно при переходе к 3D-архитектурам и нормам ниже 1 нм.