Создание транзистора началось с открытия полупроводников — материалов, занимающих промежуточное положение между проводниками и диэлектриками. Первые шаги к созданию транзистора были сделаны ещё в 1923 году, когда советский инженер Олег Лосев обнаружил, что особый режим работы точечного кристаллического детектора обеспечивает усиление сигнала. Однако практическое применение этого открытия было ограничено. В 1930-х годах немецкий физик Юлий Лилиенфельд предпринял первую известную попытку создания кристаллического усилителя и даже запатентовал своё устройство. В те же годы немецкие учёные Оскар Хейл и Роберт Поль создали действующие образцы кристаллических усилителей, но построить устойчиво работающие приборы не удавалось из-за отсутствия достаточно чистых материалов и технологий их обработки. Прорыв произошёл 16 декабря 1947 года, когда в лаборатории Bell Labs физик-экспериментатор Уолтер Браттейн и физик-теоретик Джон Бардин собрали первый работоспособный точечный транзистор. Параллель