Институт физики микроструктур РАН представил дорожную карту развития отечественных литографических EUV-инструментов с длиной волны 11,2 нм, рассчитанную на период 2026-2037 ΓΓ. Предлагается перейти от массовых процессов 40 нм к суб-10 нм. В основе гибридные лазеры, плазма ксенона, зеркала из Ru/Be, отказ от традиционных Sn-плазм. При этом реализация выглядит амбициозно и требует серьёзных технологических прорывов. Проект демонстрирует стремление к технологической независимости в сфере микроэлектроники и чипов, но остаются вопросы о ресурсах, экспертизе и конкурентоспособности на мировом уровне.
Институт физики микроструктур РАН представил дорожную карту развития отечественных литографических EUV-инструментов с длиной волны 11,2 нм, рассчитанную на период 2026-2037 ΓΓ.
Предлагается перейти от массовых процессов 40 нм к суб-10 нм. В основе гибридные лазеры, плазма ксенона, зеркала из Ru/Be, отказ от традиционных Sn-плазм. При этом реализация выглядит амбициозно и требует серьёзных технологических прорывов.
Проект демонстрирует стремление к технологической независимости в сфере микроэлектроники и чипов, но остаются вопросы о ресурсах, экспертизе и конкурентоспособности на мировом уровне.