На заводе компании TSMC в тайваньском Гаосюне успешно произведена первая партия 12-дюймовых пластин по передовому 2-нанометровому техпроцессу. Об этом сообщает портал TrendForce, отмечая, что реализация проекта идёт с опережением намеченных сроков.
Гаосюн рассматривается руководством TSMC как будущий центр массового выпуска 2-нм микросхем. В планах — строительство пяти производственных объектов (P1–P5), причём первая фабрика уже готовится к запуску серийного производства в конце текущего года.
На второй фабрике, P2, монтаж и калибровка оборудования завершатся ко второму кварталу 2026 года. Три оставшиеся линии (P3, P4 и P5) уже получили разрешения на строительство, и их ввод в эксплуатацию намечен на четвёртый квартал 2027 года.
Также рассматривается возможность создания шестой линии (P6), рассчитанной на техпроцесс следующего поколения — A14, с нормой 1,4 нм.
Собранный в Гаосюне кластер станет крупнейшим в мире центром выпуска полупроводников по 2-нм технологии, полностью сконцентрированным на территории Тайваня.
На этом фоне американские площадки TSMC показывают отставание. В Аризоне выпуск по аналогичному техпроцессу предусмотрен только на будущих линиях P3 и P4, но их строительство ещё не завершено. Сроки полноценного запуска в США перенесены как минимум на 2028 год.
Ещё по теме: