Samsung изготовила опытные образцы процессора Qualcomm Snapdragon 8 Elite Gen 5 по собственной 2-нм технологии GAA (Gate-All-Around). Образцы уже переданы Qualcomm для комплексного тестирования на производительность, энергоэффективность, тепловыделение и надёжность.
В настоящее время массовое производство Snapdragon 8 Elite Gen 5 ведётся TSMC на 3-нм техпроцессе, однако Samsung предлагает более продвинутый 2-нм узел. Технология GAA, которая используется Samsung, снижает ток утечки и улучшает контроль над теплом, что позволяет повысить скорость работы и одновременно снизить энергопотребление устройств.
Qualcomm рассматривает возможность массового заказа у двух производителей — TSMC и Samsung. Такая стратегия двойного подрядчика позволит снизить риски перебоев поставок и создать коммерческое давление для снижения стоимости чипов.
По плану, если тестирование пройдёт успешно, то первые смартфоны с 2-нм Snapdragon 8 Elite Gen 5 производства Samsung появятся во второй половине 2026 года. В частности, ожидается, что данная технология будет применена в складных смартфонах серии Galaxy Z Flip 8. При этом основные флагманы Galaxy S26 скорее всего получат чипы от TSMC по 3-нм технологии.
Для Samsung это важный шаг после предыдущих неудач с тепловым режимом и выходом чипов на старых узлах. Сейчас компания демонстрирует улучшение выпускаемых кристаллов, что подтверждается успешным стартом производства своего процессора Exynos 2600 также на 2-нм GAA-технологии.
Такое партнёрство с Qualcomm не только диверсифицирует рынок поставщиков, но и может усилить конкуренцию с Apple. Процессор A19 Pro, используемый в iPhone 17 Pro, остаётся одним из самых мощных на рынке, и новый 2-нм Snapdragon способен составить ему серьёзную конкуренцию по производительности и энергоэффективности.