Фемтосекундная лазерная кристаллизация ультратонких пленок а-Ge в многослойных структурах с кремниевыми слоями Ультракороткий импульсный лазерный отжиг — эффективный метод кристаллизации аморфных полупроводников. В статье рассматривается кристаллизация многослойной структуры из чередующихся аморфных плёнок кремния и германия с помощью лазерных импульсов средней инфракрасной области. Исследуется селективная кристаллизация ультратонкой плёнки германия толщиной 3,5 нм. Показано, что в отличие от более толстых плёнок германия, в ультратонких системах кристаллизация происходит через термическое плавление, а не из-за взрывной кристаллизации, вызванной напряжением. arXiv: 2509.26303 Обзоры | Физика
Фемтосекундная лазерная кристаллизация ультратонких пленок а-Ge в многослойных структурах с кремниевыми слоями
Ультракороткий импульсный лазерный отжиг — эффективный метод кристаллизации аморфных полупроводников. В статье рассматривается кристаллизация многослойной структуры из чередующихся аморфных плёнок кремния и германия с помощью лазерных импульсов средней инфракрасной области. Исследуется селективная кристаллизация ультратонкой плёнки германия толщиной 3,5 нм. Показано, что в отличие от более толстых плёнок германия, в ультратонких системах кристаллизация происходит через термическое плавление, а не из-за взрывной кристаллизации, вызванной напряжением.
arXiv: 2509.26303
