Инженеры MIT создали магнитный транзистор для экономичной электроники

Инженеры Массачусетского технологического института (MIT) представили транзистор нового типа, в котором вместо традиционного кремния используется магнитный полупроводник. Разработка может сделать электронные устройства быстрее, компактнее и значительно снизить их энергопотребление. Кроме того, уникальные свойства материала позволяют встроить функцию памяти прямо в транзистор.

В основе технологии лежит использование материала, который проявляет магнитные свойства и при этом устойчив в обычных условиях. По словам исследователей, переключение его магнитных состояний напрямую влияет на электронные характеристики, что позволяет транзистору работать с меньшими затратами энергии.

Новый транзистор не только эффективно управляет электрическим током, но и способен хранить информацию. Обычно для этого требуется отдельная ячейка памяти и транзистор для считывания данных. Теперь обе функции совмещены в одном устройстве, что упрощает схему и ускоряет работу.

Как отмечают разработчики, их устройство в десятки раз превосходит существующие магнитные транзисторы по силе эффекта. Если раньше изменение магнитного состояния позволяло регулировать ток лишь на несколько процентов, то новая конструкция изменяет его в десять раз. Это делает считывание данных более надежным и быстрым.

Команда MIT подчеркивает, что главной сложностью было найти подходящий материал. Многие другие соединения не подходили для стабильной работы. В итоге именно хром серы бромид обеспечил возможность создания практичного прототипа.

Сейчас ученые работают над тем, чтобы масштабировать технологию и научиться производить массивы таких транзисторов. В дальнейшем это позволит внедрить магнитные элементы в массовую электронику и использовать их для создания более экономичных и производительных чипов.

Автор: Артем Гафаров