В предыдущих статьях были описаны способы снижения искажений в усилителе на микросхеме К174УН7: https://dzen.ru/a/aLcjnEux6ALTlzuM?share_to=link и https://dzen.ru/a/aMb-Y9f1yTj8IPcV?share_to=link . В первой способ с использованием внешних выходных транзисторов, во второй способ снижения искажений путем изменения режима работы входных транзисторов. И, конечно же, у читателей и у меня возникли вопросы: можно ли совместить оба способа и тем самым еще снизить искажения, и можно ли поднять мощность усилителя с внешними выходными транзисторами путем увеличения напряжения питания, например, до 24 В? Оказалось вполне возможно, причем всё перечисленное. Микросхему желательно снабдить радиатором площадью 4...6 кв. см, если предполагается длительное использование при большой мощности. Транзисторы VT3 и VT4 нужно установить на радиатор. Коэффициент гармоник усилителя: Спектр выходного сигнала на частоте 1 кГц: Рвых - 20 мВт: Рвых - 1 Вт: Рвых - 12 Вт: На частоте 100 Гц: Рвых - 1 Вт: Рвых - 11